3月7日，日本NGK（碍子）公司宣布将投资50亿日元扩大绝缘散热电路板（以氮化硅基板进行金属化和蚀刻）生产能力的决定，在2026年提高到目前水平的2.5倍左右。

由于（SiC）功率半导体越来越多地被采用，就要求该系统在大功率的高温环境下也能稳定运行，氮化硅绝缘散热电路板以高导热和高机械强度而在目前用于控制电动汽车（EV）和混合动力汽车（HEV）电机的逆变器，实现高可靠性和优异的散热特性。

如上图所示，NGK拥有的自主接合（活性金属钎焊AMB）技术，可以让氮化硅陶瓷基板和铜板之间的键合层具有仅为几微米或更小的超薄结构。这大大降低了粘合层热阻和内部变形的影响，实现了高可靠性和优异的散热特性。另外，对于常规氧化铝陶瓷基板，NGK采用直接铜接合（DCB）技术接合。

NGK在散热电路板生产中主要负责前序接合（将陶瓷基板与铜板热压或胶粘），以及后序蚀刻、电镀等加工。本次投资包括对本土山口工厂和马来西亚槟城工厂增设生产设施，从目前的约100000台增加到约250000台。NGK还表示正在考虑建设欧洲生产基地，加强对欧洲市场的供应体系，为未来需求的进一步增长做好准备。

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