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厦大与瀚天天成等成功开发8英寸碳化硅外延片

发布日期: 2023年03月21日 08:48 来源: 粉体圈


所属铁合金系别: 碳化硅
内容概述: 基于碳化硅的电力电子器件已广泛地应用于航空航天、新能源汽车、轨道交通、光伏发电、智能电网等领域。...

基于碳化硅的电力电子器件已广泛地应用于航空航天、新能源汽车、轨道交通、光伏发电、智能电网等领域。当前主流的碳化硅单晶与外延生长还处于6英寸阶段,扩大尺寸成为产业链降本增效的主要路径,然而在迈向8英寸过程中还存在诸多技术难题。

据厦大物理3月17日公布,厦门大学与瀚天天成电子科技(厦门)有限公司等单位产学研合作,成功实现基于国产衬底的8英寸(200mm)碳化硅(SiC)同质外延生长。

外延层厚度为12μm,厚度不均匀性为2.3%;掺杂浓度为8.4×1015cm-3,掺杂浓度不均匀性<7.5%;表面缺陷(Carrot、Triangle、Downfall、Scratch)密度<0.5cm-2。

厦门大学长期致力于III族氮化物、碳化硅等宽禁带半导体的研究,多年来不断促进我国宽禁带半导体的发展,为产业培养了大批的创新人才。厦门大学科研团队负责人表示,通过克服了8英寸衬底应力更大、更易开裂、外延层厚度均匀性更难控制等问题,成功实现了基于国产衬底的碳化硅同质外延生长。

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