10月24日，安森美宣布，位于韩国富川的先进碳化硅(SiC)超大型制造工厂的扩建工程已经完工。全负荷生产时，该晶圆厂每年将能生产超过一百万片200mm SiC晶圆。

    据悉，新的150 mm/200 mm SiC先进生产线及高科技公用设施建筑于2022年中期开始建设，并于2023年9月竣工。150 mm/200 mm SiC外延(Epi)和晶圆厂的扩建，体现了安森美致力于建立垂直整合碳化硅制造供应链的战略。目前，富川SiC生产线主力生产150 mm晶圆，在2025年完成200 mm SiC工艺验证后，将转为生产200 mm晶圆。

    安森美首席执行官(CEO)Hassane El-Khoury在竣工仪式致开幕词：“富川150 mm/200 mm SiC晶圆厂对于我们全整合的SiC供应链的持续成功至关重要，使我们能够支持全球电气化的加速发展。过去五年，我们的富川团队表现非凡。我们相信，与政府机构及社会团体携手，将助力我们迈向更可持续的未来的共同目标。”

    碳化硅器件是电动汽车(EV)、能源基础设施和大功率EV充电桩中进行功率转换的关键器件。市场对这些产品的需求迅速增长，使得对SiC芯片的需求激增。在可预见的未来，SiC芯片将供不应求。富川晶圆厂的扩建解决了市场对增产的迫切需求，使安森美能够持续为客户提供供应保证，并加强安森美在智能电源方案领域的领导地位。