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首款国产高压抗辐射碳化硅(SiC)功率器件通过太空验证!

内容概述月日消息,首款国产高压抗辐射碳化硅(SiC)功率器件完成空间验证及在电源系统中的在轨应用。与采用...

1月21日消息,首款国产高压抗辐射碳化硅(SiC)功率器件完成空间验证及在电源系统中的在轨应用。与采用传统硅基功率器件的空间电源模块相比,采用该功率器件的空间电源模块的效率从85%提高到95%,功率-体积比提高了5倍。

航空航天和卫星系统的功率转换需求在朝着由更小、更轻、更高效的转换器实现更高的功率和电压水平发展,而硅基功率器件的性能已逼近极限。相比传统的硅材料,碳化硅的禁带宽度是硅的3倍,导热率是硅的4-5倍,击穿电压是硅的8-10倍,饱和电子漂移速率是硅的2-3倍,能承受更大的电流和电压,能有效提高开关速度,可大幅提高空间电源的传输功率和能源转换效率,简化散热设备,降低发射成本或增加装载容量,是制作高效、小型、轻量化功率器件的理想材料之一,非常适合空间应用。

2024年11月15日,由中国科学院微电子研究所刘新宇、汤益丹团队,中国科学院空间应用工程与技术中心刘彦民团队联合研制的碳化硅载荷,搭乘天舟八号货运飞船飞向太空,开启了空间站在轨科学试验之旅。通过一个多月的在轨加电试验,碳化硅载荷测试数据正常,高压400伏(V)碳化硅功率器件空间环境适应性验证及其在电源系统中的在轨应用验证顺利完成,在电源系统中静态、动态参数符合预期。

中国科学院微电子研究所研究员刘新宇表示,这标志着在以‘克’为计量单位的空间载荷需求下,碳化硅功率器件将成为大幅度提升空间电源效率的优选方案。未来,碳化硅功率器件将牵引空间电源系统的升级换代,为我国探月工程、载人登月、深空探测等提供可供选择的新一代功率器件。

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