随着新兴科技产业的快速发展及对器件表面要求的不断提高，化学机械抛光（Chemical Mechanical Polishing，简称CMP）技术作为目前唯一能兼顾表面全局和局部平坦化的抛光技术，可通过机械磨损与化学腐蚀的协同作用，得到高材料去除率与表面质量，具有广阔的市场与研究价值。为了兼顾超高精度表面质量和抛光效率，CMP抛光技术对关键耗材——抛光液、抛光粉的调配与生产的要求也不断提高，而二氧化铈因反应活性高、对SiO2亲合力强而从一众抛光颗粒中脱颖而出，成为高端显示玻璃基板领域不可或缺的抛光材料。

利用二氧化铈配制CMP抛光液，既能在压力作用下促使玻璃表面形成水合软化层，也能利用机械研磨去除形成的软化层。不过要想获得高平整度的表面质量，需要使物理研磨作用和化学腐蚀作用保持在一个平衡状态，避免化学作用过强导致腐蚀坑点或机械研磨作用过强对玻璃表面造成划伤，这就对抛光液中成分、二氧化铈粒度分布、物相结构及微观形貌等提出了要求。

氧化铈抛光机理

除此之外，由于高精密抛光的氧化铈粒度逐渐向亚微米级、纳米级发展，且其本身具有一定的化学活性，因此保证二氧化铈抛光液的分散悬浮稳定性也是重中之重，否则粒子较易团聚，容易导致工件划伤；同时由于悬浮清洗性能不好，抛光液磨料损耗快，容易粘附在工件及机台表面，使磨料沉底结块，研磨抛光效率降低；另外抛光后工件表面残留抛光粉多，难以清洗，为后段正常生产带来困难。