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发力第四代半导体,日企合作开发垂直型金刚石功率器件技术

内容概述集微网消息,据外媒报道,来自日本的精密零部件制造公司Orbray日前与Mirise(电装、丰田合...

集微网消息,据外媒报道,来自日本的精密零部件制造公司Orbray日前与Mirise(电装、丰田合资企业)达成协议,将合作开发基于第四代半导体材料金刚石(钻石)的功率器件技术。

报道称,两家公司将瞄准开发垂直型器件的目标前进,在该项目的三年合作期间,Orbray和Mirise将利用各自在金刚石衬底和功率器件方面的技术、资源和专业知识,开发在未来电动汽车中部署垂直型金刚石功率器件所需的技术。

根据安排,Orbray将负责开发P型导电金刚石衬底,而Mirise公司将负责开发高耐压器件结构,以演示垂直型金刚石功率器件的可行性。

与硅、SiC、GaN等目前主流半导体材料相比,金刚石、氧化镓等第四代半导体材料具有更高的耐压能力和优越的导热性,有望提高电动汽车的能源转换效率,并降低电池成本。

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