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西安交大团队实现单晶金刚石衬底量产

内容概述月日报道,西安交大王宏兴教授团队采用微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)技术,成功实现英寸异质...

1月5日报道,西安交大王宏兴教授团队采用微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)技术,成功实现2英寸异质外延单晶金刚石自支撑衬底的批量化制备。

金刚石拥有众多优异性能,采用金刚石衬底可研制高温、高频、大功率、抗辐照电子器件,克服器件的“自热效应”和“雪崩击穿”等技术瓶颈,在5G/6G通信,微波/毫米波集成电路、探测与传感等领域发展起到重要作用。

王宏兴教授担任西安交大宽禁带半导体材料与器件研究中心实验室主任,具有自主知识产权的金刚石半导体外延设备研发、单晶/多晶衬底生长、电子器件研制等系列技术,已获授权48项专利。与国内相关大型通信公司,中国电科相关研究所等开展金刚石半导体材料与器件的广泛合作,促进了金刚石射频功率电子器件、电力电子器件、MEMS等器件的实用性发展。

本次科研团队通过对成膜均匀性、温场及流场的有效调控,提高了异质外延单晶金刚石成品率。衬底表面具有台阶流(step-flow)生长模式,可降低衬底的缺陷密度,提高晶体质量,达到世界*水平。

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