随着近年来碳化硅半导体功率模块普及，电动汽车发展壮大，绿色再生能源（如风力）发电替代加速等等趋势，氮化硅基板以其兼具机械强度和导热能力的优势，应用范围不断扩大（尤其对可靠性要求更高的极端应用），并且明显已开始蚕食原本属于氧化铝（导热率低）和氮化铝（机械强度差）的市场。

从上表可以看出，虽然氮化硅基板综合性能优秀，但在成本和热导率方面仍亟待提升——相对其高达200-300W/(m·K)的理论热导率，当前商业化的氮化硅基板热导率基本在85-95W/(m·K)之间。国内外学者发表的研究显示：一方面，从原料粉体到成型工艺，从烧结助剂到烧结工艺，诸多环节都对氮化硅基板性能产生影响，工艺流程长且控制点多，技术门槛；一方面，据声子导热理论可知粗大晶粒更利于导热，但细小晶粒更利于提升综合力学强度，显著的反比效应使得基板性能稳定性难以保证。

5月13-14日，CAC2023第二届广州先进陶瓷产业链展览会同期举办围绕先进陶瓷三个热门应用方向的创新发展论坛，广东工业大学蒋强国博士将带来题为“浅析氮化硅陶瓷基板制备技术要点”的报告，针对基板制备工艺，讨论以下技术要点：

（1）粉体选择—粉体测试技术、粉体指标控制及应用要点；

（2）流延工艺—浆料制备、流延缺陷分析；

（3）烧结助剂体系和烧结工艺；

（4）产品评价及性能测试方法。低成本、稳定制造是氮化硅基板产业化的核心问题，提高工艺容错率是技术攻关的关键。

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