6月4日，美国氮化物全球公司（Nitride Global,Inc）与韩国半导体核心设备厂商STi Co.,Ltd签约，共同推进基于ALON涂层的先进封装技术商业化。这种前沿封装与目前的陶瓷基板覆铜（DBC/AMB）路线相比有极大差异，确实实现替代将颠覆现有产业格局，值得关注。

这项封装技术是Nitride Global和Fraunhofer FEP（弗劳恩霍夫电子束和等离子体技术研究所）的合作成果，或可称之为“用于电绝缘和热传导应用的溅射沉积铝氧氮薄膜”，旨在利用AlON独特的电绝缘性、附着力、热膨胀系数（CTE）匹配和耐久性，为半导体设备和电力电子设备提供出色的电气隔离、高热导率、优异的附着力和对覆铜板的最小应力。

Fraunhofer FEP专业提供电子束和磁控溅射装备与涂层服务，Nitride Global则掌握陶瓷材料专业知识。对于封装用ALON涂层技术而言，氧化铝和氮化铝靶材在内的材料配比，结合具体的应用场景，二者合作使得这项技术得以开发。再结合本文的签约内容，STi将支持开发满足对基于AlON的热管理解决方案日益增长的需求的工业规模沉积设备，并将保留某些在韩国市场分销的权利。

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