8月9日，旭化成旗下公司Crystal IS宣布成功生产出直径为4英寸（100毫米）的单晶氮化铝(AlN)基板，这也是全球首次有公开消息称能够生产该尺寸氮化铝衬底，也意味着氮化铝材料在深紫外UVC LED领域外的行业具有商业可行性。

氮化铝基板具有低缺陷密度、高紫外线透明度和低杂质浓度。AlN因其超宽带隙和极高的导热性而对UVC LED和功率器件等多种行业具有吸引力。目前该行业领先企业主要量产2英寸单晶衬底，代表有美国HexaTech公司，中国奥趋光电。

根据目前UVC LED的要求，所生产的4英寸基板的可用面积超过80%。旭化成先进科学技术研究实验室执行研究员Naohiro Kuze博士表示：“我们非常高兴地宣布实现4英寸块状氮化铝基板。”Crystal IS总裁兼首席执行官Eoin Connolly表示：“这表明我们的工艺具有可扩展性，可提供优质氮化铝器件。”

Crystal IS成立于1997年，致力于氮化铝基板的开发和商业化，2011年被旭化成收购。位于纽约州绿岛的工厂主要生产用于可对水、空气和表面进行可持续、无汞消毒的UVC LED产品，目前每年可生产数千个2英寸单晶氮化铝衬底，4英寸AlN基板的商业化将使绿岛工厂现有占地面积的设备产量增加四倍。它还将有助于在氮化铝基板上开发新应用，因为它集成到使用替代材料的功率和射频器件的现有生产线中。