日本的科学家团队在电子材料领域取得了创新性的进展，他们利用金刚石这一导热性极高的天然材料作为衬底，成功地制作出了氮化镓（GaN）晶体管。这种新型晶体管的散热能力是传统晶体管的两倍以上。由于其优异的性能，这种晶体管适用于多个领域，包括5G通信基站、气象雷达、卫星通信、微波加热和等离子体处理等。研究成果已在科学杂志“Small”上发表。此项技术通过在GaN和金刚石之间集成了一层立方碳化硅（3C-SiC）层，以最大化利用金刚石的导热特性，显著降低了界面热阻并提升了散热性能。

随着电子设备向高功率密度和小型化发展，散热问题成为制约性能、可靠性和寿命的关键因素。氮化镓（GaN）和金刚石作为下一代半导体材料，都具备宽带隙特性，能够实现高导电性和卓越散热性。大阪公立大学的研究小组通过创新方法克服了之前在GaN与金刚石结合过程中所遇到的导热性干扰问题，实现了双方优势的完美结合。这一突破意味着在电力和射频电子产品领域，未来可能通过优化热管理大幅降低能耗和二氧化碳排放，从而推动这些电子产品的发展进入新的阶段。