据Diamfab官网消息，近日，法国格勒诺布尔的Diamfab公司和HiQuTe Diamond公司宣布建立战略技术合作伙伴关系，涵盖价值链的关键阶段，从衬底生产到电子元件制造，通过掺杂层的外延。

据了解，HiQuTe Diamond将贡献其在生产高质量金刚石衬底方面的专业知识，这些衬底经过优化，可*大限度地提高电力电子设备的性能。

Diamfab将负责使用先进的晶体生长工艺对掺杂层进行外延生长，以及制造高性能组件。

两家公司预计，由于地理位置接近和行业敏捷性，他们将能够加快迭代周期，以快速实现*的技术和财务绩效，从而使金刚石半导体成为工业现实。

“金刚石半导体的性能水平比基于传统材料的组件高10-40倍，是广泛采用电气化和整个经济部门脱碳的关键，”Diamfb的首席执行官Gauthier Chicot说。“通过与HiQuTe Diamond合作，我们有意愿和技术、人力和地理资源在法国创造这个*的行业，”他补充道。

“等离子体辅助CVD生长工艺可以生产出特别适用于电力电子要求苛刻的硼掺杂金刚石，”HiQuTe Diamond首席执行官Florent Alzetto指出。“这种可持续的工艺确保了对物理特性的严格控制，同时应对性能挑战，”他补充道。“我们和Diamfab的专业知识融合为应对性能和能源效率方面的全球工业挑战提供了*的机会。

两家公司计划开始合作，使用Diamfab优化的金刚石外延技术，在HiQuTe Diamond衬底上制造*个系列的垂直肖特基二极管，*批原型预计将于2025年春季推出。