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最高745.7W!大腔室射频双面微晶组件全面量产

内容概述经权威第三方检测机构TÜV南德认证,捷佳伟创G-版型异质结高功率组件达到了.W,这是继...

经权威第三方检测机构TÜV南德认证,捷佳伟创G12-132版型异质结高功率组件达到了745.7W,这是继今年1月量产型双玻组件达到735.79W后,捷佳伟创在异质结领域取得的又一突破。

本次高功率组件所用电池片来自于捷佳伟创常州异质结中试线,电池片平均转换效率达到25.6%(ISFH标准),其中PECVD采用RF双面微晶技术,PVD采用双面VTTO,金属化采用12BB密栅印刷。

在客户端,经过技术团队近期不懈的努力,射频(RF)高速微晶技术已成功在捷佳伟创大产能板式PECVD上导入。目前,大腔体的射频双面微晶电池效率已经与小腔体的高频镀膜电池处于同一水平,打破了行业对于大腔体射频双面微晶电池效率偏低的认知。根据异质结中试线的研究经验,其微晶膜层性能和双面微晶电池效率均还有一定优化空间。

捷佳伟创异质结高效组件

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