电动汽车、5G通信、新能源等领域对高温、高频、高功率、高可靠性的追求，促使第三代半导体材料碳化硅的兴起，同时也给予了碳化硅陶瓷在泛半导体领域很多机会。无论是光刻机、刻蚀机等晶圆加工核心设备的结构件，还是用于扩散炉的晶舟、悬挂晶舟的悬臂浆以及晶托等反应腔内承托部件，碳化硅材料都能凭借高强度、高弹性模量、高导热系数、优异的抗热震性及低热膨胀系数等特点而得到良好适配。

半导体设备中反应腔内的零部件

目前半导体碳化硅部件多采用注浆、挤出等传统成型方式，优势是成型过程简单易行，生产效率高同时适合大批量生产。但与之相对于的问题是精度通常较低，烧结阶段的良品率很低，需要大量的后加工手段已完成精密负责的部件。而碳化硅作为一种共价键化合物，Si—C键的强键能使其具有极高的硬度和显著的脆性，精密加工难度大，成本高，此外，碳化硅熔点高，也使得其难以实现致密、近净尺寸烧结，一定程度上限制了其在泛半导体用部件中的广泛应用。

在此背景下，长期从事难加工材料及其微纳部件智能制造的东莞理工学院机械工程学院刘伟教授提出将3D打印等新型工艺用于晶舟等（泛）半导体领域部件的一体化成型及高精密成型，从而大大减少甚至免除繁琐的后加工，节约生产成本，同时实现智能化、数字化及快速化生产。

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