6月7日，意法半导体与三安光电共同宣布，双方拟在中国重庆建造一座可实现大规模量产的8英寸碳化硅器件合资制造厂。

据了解，新的SiC制造厂全部建设总额预计约达32亿美元（约合人民币228亿元），计划2025年第四季度投产，将于2028年全面落成，预计到2030年碳化硅收入将超过50亿美元。

该合资厂将采用ST（意法半导体）的SiC专利制造工艺技术，专注于为ST生产SiC器件，作为ST的专用晶圆代工厂以满足其中国客户的需求。此外，三安光电将利用自有碳化硅衬底工艺，单独建造和运营一座新的8英寸碳化硅衬底制造厂，以满足合资厂的衬底需求，每年规划生产的8英寸碳化硅衬底为48万片。

三安光电是国内布局碳化硅产业最为完整的企业，涉及长晶、衬底制作、外延生长、芯片制备及封装环节。意法半导体表示，三安光电未来的8英寸衬底制造厂与前端的合资公司以及意法半导体在中国深圳的现有后端工厂相结合，将使意法半导体能够为中国客户提供一个完全垂直整合的SiC价值链。届时将更好地支持中国的汽车电气化、工业电力和能源等应用日益增长的需求。