2025年8月1日，中国电子材料行业协会官网发函，批准发布团体标准《晶体生长用高纯碳化硅粉体》，并予以公示，团体标准编号为“T/CEMIA 049-2025”，实施日期是2025年11月1日。

该团体标准适用于纯度不低于99.9999wt%（6N）的晶体生长用高纯碳化硅粉体，规定了晶体生长用高纯碳化硅粉体的技术要求、试验方法、检验规则和包装、标志、运输及贮存。

碳化硅（SiC）凭借其优异的性能，是极具前景的半导体材料。物理气相传输（PVT）法作为生长高质量SiC单晶的主流技术，其原料——高纯碳化硅粉体的质量至关重要。粉体的纯度（尤其是N元素含量）、粒度分布及晶型等参数直接影响晶体质量。然而，由于缺乏统一标准，各企业对粉体指标要求不一，导致原料质量不稳定，阻碍了下游产业发展。因此，由中国电子材料行业协会粉体技术分会提出制定《晶体生长用高纯碳化硅粉体》团体标准，规范碳化硅粉体质量，满足行业需求，以此推动整个半导体产业链的技术提升和健康发展。

该团体标准的发布填补了国内晶体生长用高纯碳化硅粉体标准的空白，通过统一关键指标（如纯度、杂质限值、粒度等），将显著提升国产粉体质量和一致性，降低下游晶体生长环节的技术风险与验证成本，加速国产高纯碳化硅粉体的应用和替代进程，有力支撑我国第三代半导体产业链的自主可控与高质量发展。

本团标牵头单位：河南中宜创芯发展有限公司

起草单位：绍兴晶彩科技有限公司、中国电子科技集团公司第四十六研究所、华为技术有限公司、广州志橙半导体有限公司、西安博尔新材料有限责任公司、山东圣诺实业有限公司、汕头天意半导体技术有限公司、连科半导体有限公司、平顶山易成新材料有限公司、江苏三责新材料科技股份有限公司、东方电气先进材料科技（四川）有限公司、浙江之升科技有限公司、精工博研测试技术（河南）有限公司、内蒙古赛盛新材料有限公司。